在全国“大基金”的带动下在过去的一年中全国半导体总投资达到700多亿元,其中SiC材料相关项目涉及65亿金额。三安光电、中科钢研、比亚迪,天通股份等企业已经开始在SiC衬底片项目进行布局。据业内从业人士透露,近几年国内的碳化硅市场增速非常快,在节能减排政策的大背景下,越来越多的国内客户尝试使用碳化硅器件来替代传统硅器件方案,国内电源领域的标杆企业也都在大规模应用碳化硅器件。
为此国内SiC产业阵容不断扩大。相比于硅技术,国内碳化硅技术的发展较为顺利,毕竟国内外碳化硅技术的起跑线是接近同一起跑线的。可以看到无论是前端的衬底和外延,还是后端的器件和模组,国内都涌现了一批优秀的甚至在全球市场都有一席之地的企业,整个产业链已经接近实现全国产替代。
在衬底领域我国有山东天岳、天科合达、河北同光、世纪金光、中电集团2所等;外延片领域有东莞天域、瀚天天成、世纪金光;在SiC功率器件研发制造方面国内IDM企业有杨杰电子、基本半导体、苏州能讯高能半导体、株洲中车时代、中电科55所、中电科13所、泰科天润、世纪金光,Fabless有上海瞻芯、瑞能半导体,Foundry有三安光电;在模组方面有嘉兴斯达、河南森源、常州武进科华、中车时代电气。
进入2020年来企业和投资者关于SiC的动作不断。3月12日合肥市人民政府发布指出,世纪金光6英寸碳化硅项目落户合肥大基金持股份额10.55%。合肥产投资本管理的语音基金以领投方的方式参与了世纪金光C轮融资。世纪金光在2010年成立,致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产。近几年来世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等,已完成从碳化硅材料生产、功率元器件和模块制备到行业应用开发与解决方案提供等关键领域的全面布局,属于国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。
今年2月份全国最大生产规模的碳化硅产业基地在山西正式投产。中国电科(山西)碳化硅材料产业基地一期项目共有300台设备。山西烁科晶体有限公司总经理李斌介绍:“目前该碳化硅产业基地一期的300台设备,月生产量为1200块碳化硅单晶,单块的估值在10万元左右,1200块大概为一个多亿。”这个1000亩的产业园将串联起山西转型综改示范区上下游十多个产业,迅速带动山西半导体产业集群发展,实现中国市场碳化硅的完全自主供应。
还有也是在2月比亚迪公布旗下中大型轿车汉EV首次应用自研“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”,助其0-100km/h加速仅需3.9秒!这个成绩领先了之前由全新唐DM创造的4.3秒纪录,让汉EV成为比亚迪量产车家族的新加速冠军。其电机控制器首次使用了比亚迪自主研发并制造的高性能碳化硅MOSFET控制模块,碳化硅模块能够降低内阻,增加电控系统的过流能力,让电机将功率与扭矩发挥到极致,大幅提升了电机的性能表现。
再往前时间段,2019年11月26日露笑科技与中科钢研、国宏中宇在北京签署了《中科钢研节能科技有限公司与国宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议》。这次三方进行共同合作,重点依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的研发成果,结合露笑科技的真空晶体生长设备设计技术及丰富的装备制造技术与经验,共同研发适用于中科钢研工艺技术要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备,目前首批2台套升华法碳化硅长晶炉已经完成设备性能验收交付使用,经过优化后的碳化硅长晶炉设备将应用于国宏中宇主导的碳化硅产业化项目中。
2019年8月华为旗下的哈勃科技投资有限公司投资了国内领先的第三代半导体材料公司山东天岳,持股达10%。山东天岳公司成立于 2011 年 12 月,公司自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料,目前量产产品以 4 英寸为主,此外其 4H 导电型碳化硅衬底材料产品主要有 2 英寸、3 英寸、4 英寸及 6 英寸。山东天岳还独立自主开发了 6 英寸 N 型碳化硅衬底材料。公司技术上实现宽禁带半导体碳化硅材料产业化技术水平达到国际领先。
另外基本半导体用于电动汽车逆变器、对标特斯拉Model 3所采用器件的车规级全碳化硅MOSFET模块已完成工程样品开发,将联合国内主流车厂开展测试。