当晶圆尺寸越大，其单片面积就越大、边缘浪费更小，单位时间内产出的衬底、外延更多，芯片的产能也就越大、单颗芯片成本也越低。
8英寸SiC的衬底价格、缺陷密度、芯片面积、芯片价格明显呈下降的趋势，随着每一代芯片单位面积的减小，8英寸和6英寸的成本差距也越来越小。
现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，SiC衬底从6英寸转向8英寸短期内不会完成。4英寸N-Type的价格非常稳定，主要应用在二极管等低端器件市场，6英寸片也因技术不断成熟价格逐渐稳定，8英寸片刚刚推向市场，良率比较低、制造成本过高，短期内不具备性价比，其价格下行空间相当大。预计到2026年，8英寸片的市场份额将达15%。届时，4英寸片会慢慢淡出市场，6英寸片将长期作为市场主流。
单从晶圆加工成本来看，从6英寸升级到8英寸晶圆成本是增加的，但8英寸晶圆的芯片产量更高、成本更低，它能获得的优良裸片数量提升了20%-30%。这也是近年来SiC晶圆厂积极往8英寸升级的重要原因。
如今的SiC市场仍以6英寸为主，这种状态将会持续好几年。国内材料厂商可先积累8英寸SiC的技术，做好相关技术，开发出满足生产需求的材料，器件厂需提前做好准备，在材料成熟后再发力。
