作为推动能源改革的关键技术，Infineon、ON Semi和其他功率半导体巨头已经将SiC视为未来十年业务增长的强劲驱动力。然而，原材料和主要设备的短缺不断影响着全球SiC产业链的稳定，“提高生产”将成为未来几年活跃在该行业的关键词。
近几年来，IDM厂商在12英寸晶圆厂投资数十亿美元制造IGBT等硅基功率元件，使得完全折旧的6/8英寸晶圆厂现在支持SiC大规模生产。IDM厂商需要增加一些SiC专用生产设备，包括超高温CVD反应器、高温高能离子注射器、高温氧化炉、晶圆级检测设备等。
在20世纪90年代，硅晶圆经历了从6英寸到8英寸的转变，然后在大约十年后变成了12英寸的晶圆。SiC正在经历同样的事情。目前，绝大多数SiC功率元件仍在6英寸晶圆的帮助下加工。为了进一步降低成本，扩大SiC渗透率，Wolfspeed等一线厂商已将目光投向8英寸。这很难，但必须这样做。可以看出，Wolfsped Mohawk Valley Fab的具体量产时间一再推迟，这也与其近几个季度的经营状况有关。
此外，我国SiC前道工艺生产线的数量也在快速增长。据TrendForce统计，量产规划生产线约20条，关键生产线约7条。其中，三安光电和泰科天润拥有非常成熟的二极管制造能力，但在MOSFET制造开发过程中仍面临诸多障碍，尤其是汽车产品。
